مصادر سلسلة التوريد تشير إلى قدوم الآيفون 7 بلس بذاكرة عشوائية 3 جيجا بايت

من المتوقع أن تشهد صناعة DRAM نمواً في الربع الثالث من عام 2016، حيث تتوقع مصادر موثوقة في سلسلة التوريد أن هناك زيادة في ذاكرة الوصول العشوائي RAM إلى 3 جيجا بايت في الآيفون 7 القادم، ورغم ذلك لا يزال الأمر غير واضح ما إذا كانت هذه الزيادة ستتواجد في النموذج الأكبر حجماً “بلس” فقط أم ستتواجد في جميع إصدارات الآيفون 7.

مصادر سلسلة التوريد تشير إلى قدوم الآيفون 7 بلس بذاكرة عشوائية 3 جيجا بايت

وكانت مصادر سلسلة التوريد التي لم يُذكر اسمها صرحت لصحيفة DigiTimes بأنها تتوقع زيادة الذاكرة العشوائية في الآيفون 7 إلى 3 جيجا بايت، بدلاً من 2 جيجا بايت الموجودة حالياً. وإذا حدثت هذه الخطوة، فسوف تساعد هذه الصناعة عموماً حيث إنخفض الإنتاج مؤخراً نتيجة تباطؤ الصناعة الكبير والذي اسفر عن شح المعروض من رقائق DRAM، مما أدى إلى زيادة الأسعار.

ويشير التقرير إلى أن مُصنعي الرقائق Macronix International و Powertech Technology (PTI) قد زادوا تقديرات الأرباح بناء على زيادة الطلب من إحدى الشركات المُصنعة للهواتف الذكية والتي لم يُحدد اسمها. وتُعد الزيادات غير عادية وملحوظة في قطاع RAM الراكد وسوق الهواتف المحمولة.

وكرر التقرير تكهنات مماثلة من مُحلل شركة KGI Securities “مينغ تشو كو” في نوفمبر 2015، والذي قال بأن زيادة الذاكرة العشوائية إلى 3 جيجا بايت سوف يتواجد فقط في النسخة الأكبر حجماً “الآيفون 7 بلس”.

ومن غير المعروف ما إذا كانت DigiTimes تردد التقرير السابق، أم أن لديها مصاجر مستقلة بتفاصيل مُحددة. ومع ذلك، فإن الصحيفة تمتلك سجل ضعيف في التنبؤ بالخطط المستقبلية لمنتجات مُحددة في أبل، وهذا يعني احتمال امتلاك نسخة 4.7 من الآيفون 7 ذاكرة عشوائية بقوة 3 جيجا بايت هي الأخرى.

وتشير التقارير الأخيرة أن الآيفون 7 لن يشهد تغيرات رئيسية في التصميم، حيث تشير التفاصيل والأجزاء المسربة إلى أن تصميمه مطابق تقريباً للايفون 6 إس، ولكن بدون منفذ سماعة الرأس.

يُذكر أن الآيباد برو 12.7 انش هو جهاز iOS الوحيد الذي تخطى حاجز 2 جيجا بايت في الذاكرة العشوائية، حيث ضاعفها إلى 4 جيجا بايت. أما الآيفون 6 إس و 6 إس بلس، والآيباد برو 9.7 إنش كلها تمتلك ذاكرة عشوائية 2 جيجا بايت.